大山英典先生は、平成23年3月2日に逝去されました。謹んでご冥福をお祈りいたします。
- 教授、工学博士
- 研究内容
- 耐放射線性半導体デバイスの開発
- 人工衛星・宇宙ステーションの高信頼性化
- 宇宙空間での電子機器・システムの正常動作
- 半導体デバイスの放射線損傷
劣化機構の解明 : 照射条件(線源・線量・温度)
デバイス材料・構造・製造プロセス依存性 耐放射線強化デバイスの考案 - 対象デバイス
- 極微細Si(SOI)トランジスタ
- Si・GaN系受・発光ダイオード、SiC・SiGeトランジスタ
- 人工衛星・宇宙ステーションの高信頼性化
- 耐放射線性半導体デバイスの開発
- 関連リンク