2021年3月1日～3日、The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)において、専攻科２年の角 和章君が口頭発表を行いました。多くの質疑がありましたが、堂々と応対していました。
今回発表した研究は、ガラス上に形成した金属電極層に高品質な結晶ゲルマニウム半導体を２００℃の低温で直接形成する、というものです。その形成の過程で、金属とゲルマニウム半導体が混ざってしまうことが長年の課題でしたが、金属の状態に着目することでこの課題を打破しています。
金属電極上に直接形成した結晶ゲルマニウム半導体は太陽電池に応用できるため、この研究の成果は高効率・低コストの太陽電池の作成に繋がることが期待されます。
