高倉 健一郎(3年生担任)

たかくら けんいちろう
    • 准教授、博士(工学)
    • 担当科目:
      • 3年 電子工学
      • 5年 卒業研究
      • 専攻科1,2年 特別研究
    • 研究内容
        1. 半導体デバイスの耐放射線性に関する研究

      宇宙や原子炉などで半導体デバイスが動作する場合、電子線などの放射線が照射されることでデバイス特性が劣化するなどの問題があり、耐放射線性に優れたデバイス開発が必要です。そこで、放射線照射によるデバイス特性劣化メカニズムを明らかにすることを目的として国内外の研究機関と共同研究を進めています。

        1. スパッタ法による酸化ガリウムの作製

      可視光から紫外線に対して透明な酸化ガリウムは不純物を添加することで、導電性を持ち液晶ディスプレイなどに用いられている透明電極に利用することができます。そのほか、太陽電池の窓材や紫外線センサなど、さまざまな利用が考えられます。研究室では、良質な酸化ガリウムの作製を目標に研究を行っています。

    • その他のトピックス

熊本にたくさんある半導体企業では、わずか0.01mmのゴミも無いクリーンルームでICが作られています。本校には、全国高専で一番の規模と設備のクリーンルームがあります。滅多に入ることのできないクリーンルームで、半導体の研究をやってみたい方、ぜひ熊本高専に入学して一緒に研究しましょう。